Résisteurs : théorie et technologie.
Resistor theory and technology.
Auteurs : ZANDMAN F., SIMON P. R., SZWARC J.
Type de monographie : Ouvrage
Résumé
This book gives an overview of resistor design, fabrication, and use. It explains the selection and use of virtually every discrete resistor type, including high-performance precision resistors, sophisticated anisotropic magnetoresistance for hard disk drives and recording devices and many others. Extract from the table of contents: Theory (Ohm's law: resistance; reversible and irreversible phenomena associated with Ohm's law; resistive materials; noise phenomena; heat transfer). Technology (overview of fixed and variable resistors; resistive circuits; power and wirewound resistors; precision resistors and resistor networks; potentiometers; magnetoresistance and its applications; nonlinear resistors).
Détails
- Titre original : Resistor theory and technology.
- Identifiant de la fiche : 2001-2551
- Langues : Anglais
- Édition : Scitech publishing - États-unis/États-unis
- Date d'édition : 2001
- ISBN : 189112112X
- Source : Source : 321 p. (15.5 x 23); fig.; phot.; tabl.; index; append.
- Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.
Indexation
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Evaluation of CMOS timer integrated circuits fo...
- Auteurs : HARUYAMA T., KIRSCHMAN R. K.
- Date : 12/1991
- Langues : Anglais
- Source : Cryogenics - vol. 31 - n. 12
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DESIGN OF A CRYOSTAT FOR THE TRANSPORT PROPERTI...
- Auteurs : SHAH S. S., CHANDOLE S. V.
- Date : 1981
- Langues : Anglais
- Source : Indian J. Cryog. - vol. 6 - n. 2
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A LOW TEMPERATURE 35 T AND 20 KILOJ CRYOMAGNETI...
- Auteurs : JULIENNE D., CUBERO H., FORTINI A.
- Date : 1984
- Langues : Anglais
- Source : Cryogenics - vol. 24 - n. 6
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Transfer power characteristic of a power MOSFET...
- Auteurs : SUN L. T., MAN M. C.
- Date : 05/1991
- Langues : Anglais
- Source : Indian J. pure appl. Phys. - vol. 29 - n. 5
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Characterization of a complementary metal-oxide...
- Auteurs : TODD-HASTINGS J., NG K. W.
- Date : 06/1995
- Langues : Anglais
- Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 66 - n. 6
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