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TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A JONCTION DE SILICIUM A 4,2 K.

SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS AT 4.2 K.

Auteurs : NAWROCKI W.

Type d'article : Article

Résumé

ON REND COMPTE DES RESULTATS DE RECHERCHES SUR DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A JONCTION DE SILICIUM POLONAIS DU TYPE BF 245 A LA TEMPERATURE DE L'HELIUM LIQUIDE. LE BF 245B ET LE BF 245C FONCTIONNAIENT DE FACON SATISFAISANTEA 4,2 K MAIS LES TRANSISTORS BF 245A ETAIENT DIFFICILEMENT MAITRISABLES OU NON MAITRISABLES DANS L'HELIUM LIQUIDE. ON A OBSERVE LES TRANSFORMATIONS SUIVANTES DES TRANSISTORS BF 245B ET 245C : LA TRANSCONDUCTANCE EST ENVIRON DEUX FOIS PLUS GRANDE A 4,2 K QU'A 300 K, LA VALEUR ABSOLUE DE LA TENSION DE DECONTRACTION EST ENVIRON DEUX FOIS PLUS PETITE A 4,2 K ET LA TENSION DU BRUIT EST DIX FOIS PLUS PETITE DANS L'HELIUM LIQUIDE.

Détails

  • Titre original : SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS AT 4.2 K.
  • Identifiant de la fiche : 1989-0422
  • Langues : Anglais
  • Source : Cryogenics - vol. 28 - n. 6
  • Date d'édition : 1988

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