Cellule haute pression à enclume en diamant fritté pour mesures de résistance électrique à basse température jusqu'à 50 Gigapascals.

Sintered diamond anvil high-pressure cell for electrical resistance measurements at low temperatures up to 50 Gpascals.

Auteurs : AKAHAMA Y., KOBAYASHI M., KAWAMURA H., ENDO S.

Type d'article : Article

Résumé

L'appareil a été conçu pour minimiser la variation de pression au cours du refroidissment entre température ambiante et 1,2 K. La pression est calibrée à partir de la dépendence en pression de la température de transition du bismuth jusqu'à 50 Gpascals. L'utilité de l'appareil est illustrée par des mesures de résistance électrique et de température de transition sur du sélénium et du zirconium jusqu'à 60 Gpascals.

Détails

Titre original : Sintered diamond anvil high-pressure cell for electrical resistance measurements at low temperatures up to 50 Gpascals.
Identifiant de la fiche : 1994-2109
Langues : Anglais
Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 64 - n. 7
Date d'édition : 07/1993
Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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Indexation

Thèmes : Physique à basse température;
Transport et manipulation des fluides cryogéniques;
Cryogénie: sécurité, instrumentation et métrologie;
Supraconduction
Mots-clés : Supraconduction; Cryotempérature; Mesure; Bismuth; Température critique; Résistance électrique; Zirconium; Supraconducteur; Sélénium; Pression; Haute température