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COMPORTEMENT DE PILES SOLAIRES DE SILICIUM A JONCTION DIFFUSE AUX TEMPERATURES DE 77 A 500 K.

BEHAVIOUR OF DIFFUSED JUNCTION SILICON SOLAR CELLS IN THE TEMPERATURE RANGE 77-500 K.

Auteurs : ARORA J. D., MATHUR P. C.

Type d'article : Article

Résumé

CALCUL DU COEFFICIENT D'ABSORPTION DE SI DANS L'INTERVALLE DE TEMPERATURE DE 77 A 500 K EN FONCTION DE LA LONGUEUR D'ONDE EN UTILISANT LA THEORIE DES TRANSITIONS INDIRECTES. A PARTIR DES VALEURS DE CE COEFFICIENT, CALCUL DES PARAMETRES DES PERFORMANCES, EN FONCTION DE LA TEMPERATURE, DE PILES SOLAIRES A SI N+P. VERIFICATIONS EXPERIMENTALES. (Bull. CNRS, FR., 81-730-20547.

Détails

  • Titre original : BEHAVIOUR OF DIFFUSED JUNCTION SILICON SOLAR CELLS IN THE TEMPERATURE RANGE 77-500 K.
  • Identifiant de la fiche : 1982-1377
  • Langues : Anglais
  • Source : J. appl. Physiol. - vol. 52 - n. 5
  • Date d'édition : 1981

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