PartagerDépôt de couches minces de NdNiO3 sur Si(100) par pulvérisation cathodique.
Auteurs : LAFFEZ P., ZAGHRIOUI M., LACORRE P., BROUSSE T., MONOT I.
Type d'article : Article
Résumé
NdNiO3 thin films with metal-insulator transition were deposited by radiofrequency sputtering and subsequent annealing under oxygen pressure on silicon(100). The deposition parameters and annealing conditions were optimized. Reproductible metal-insulator transition were obtained at 147 K.
Détails
- Titre original : Dépôt de couches minces de NdNiO3 sur Si(100) par pulvérisation cathodique.
- Identifiant de la fiche : 2000-0024
- Langues : Français
- Source : Vide - vol. 53 - n. 289
- Date d'édition : 1998
- Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.
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