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Effet des paramètres de pulvérisation sur des films minces d'YBCO pulvérisés par radiofréquence.

Effect of sputtering parameters on rf sputtered YBCO thin films.

Auteurs : KUMAR M., et al.

Type d'article : Article

Résumé

On a préparé des films d'YBCO par pulvérisation par diode à radiofréquences en utilisant une cible composite unique. Les paramètres de la pulvérisation ont un effet important sur la cinétique de fabrication du film. La stoïchiométrie du film diffère habituellement de celle de la cible. Le problème le plus rencontré en général est lié à la repulvérisation (et érosion) du film, dues au bombardement de particules énergétiques. On a étudié de façon systématique, pour différentes distances cible-substrat, la stoïchiométrie et l'uniformité de l'épaisseur des films sur les substrats localisés radialement sous la cible. En optimisant la distance on a minimisé les effets de la repulvérisation. Les auteurs ont étudié également l'effet du recuit et de la composition stoïchiométrique sur les propriétés supraconductrices de ces films minces.

Détails

  • Titre original : Effect of sputtering parameters on rf sputtered YBCO thin films.
  • Identifiant de la fiche : 1993-0033
  • Langues : Anglais
  • Source : Indian J. pure appl. Phys. - vol. 29 - n. 5
  • Date d'édition : 05/1991
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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