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Etude des caractéristiques directes d'une diode pour la mesure de températures cryogéniques.

Study of forward characteristics of a cryogenic temperature sensor diode.

Auteurs : BOSE M., OTA S. B.

Type d'article : Article

Résumé

The current dependence of the forward voltage of a cryogenic silicon diode temperature sensor is reported in the temperature range 10-300 K. The current values are varied from 10 nanoamperes to 0.1 ampere. The study helps to conclude that for all practical purposes such as commercial diodes (prescribed for a particular current value of 10 nanoamperes) can be operated for a wider range of current values, with suitable calibration data.

Détails

  • Titre original : Study of forward characteristics of a cryogenic temperature sensor diode.
  • Identifiant de la fiche : 1998-0730
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 67 - n. 12
  • Date d'édition : 12/1996
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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