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Oscillateur à diode tunnel pour la mesure d'impédance superficielle de couches minces au voisinage de 20 mégahertz.

Tunnel diode oscillator circuit for surface impedance measurement of thin films near 20 megahertz.

Auteurs : OMARI A., KHODER A. F.

Type d'article : Article

Résumé

Une méthode simple pour la mesure de l'impédance superficielle de couches minces dans la gamme de 10 à 20 mégahertz est décrite et analysée. Cette méthode est basée sur l'analyse du déplacement de fréquence et de la variation d'amplitude du signal issu d'un oscillateur à diode tunnel couplé inductivement à l'échantillon. La sensibilité vis-à-vis des propriétés conductrices des couches minces dépend en grande partie des paramètres géométriques et peut être optimisée et prise en compte dans les calculs sur la réponse. L'analyse est illustrée par des exemples sur couches métalliques supraconductrices et normales. La résolution des mesures est également discutée.

Détails

  • Titre original : Tunnel diode oscillator circuit for surface impedance measurement of thin films near 20 megahertz.
  • Identifiant de la fiche : 1994-3375
  • Langues : Anglais
  • Source : Cryogenics - vol. 33 - n. 12
  • Date d'édition : 12/1993

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