POSSIBILITE DE SUPRACONDUCTION A HAUTE TEMPERATURE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS.
[In Russian. / En russe.]
Auteurs : BUMAJ Ju. A.
Type d'article : Article
Résumé
DISCUSSION SUR LE CONCEPT DE SUPRACONDUCTIVITE LIE A UNE LOCALISATION DES PAIRES D'ELECTRONS (OU DE TROUS). DEMONSTRATION DE LA POSSIBILITE D'UNE CONDENSATION DE BOSE-EINSTEIN POUR LE SYSTEME A PAIRES D'ELECTRONS OBTENUES SOUS FORTE CONCENTRATION PAR RECUIT LASER. LES DONNEES EXPERIMENTALES CONNUES SONT REEXAMINEES DANS LE BUT DE DIAGNOSTIQUER D'EVENTUELS NOUVEAUX SUPRACONDUCTEURS HAUTE TEMPERATURE. LES AUTEURS MONTRENT QUE DES STRUCTURES, POUR LESQUELLES IL EXISTE UN EFFET MEISSNER ENTRE 20 ET 50 K, PEUVENT ETRE ELABOREES, DANS LE SILICIUM OU LE CARBURE DE SILICIUM, PAR UNE IMPLANTATION MASSIVE D'IONS AYANT POUR CONSEQUENCE LA CREATION DE CENTRES AVEC DES PAIRES LOCALISEES D'ELECTRONS.
Détails
- Titre original : [In Russian. / En russe.]
- Identifiant de la fiche : 1991-1942
- Langues : Russe
- Source : Fiz. nizk. Temp. - vol. 16 - n. 6
- Date d'édition : 1990
- Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.
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- Thèmes : Supraconduction
- Mots-clés : Supraconduction; Semi-conducteur; Céramique; Température critique; Supraconducteur; Silicium; Haute température; Électron; Effet Meissner
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