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Réacteur à plasma par résonance cyclotronique des électrons pour gravure cryogénique.

Electron cyclotron resonance (ECR) plasma reactor for cryogenic etching.

Auteurs : AYDIL E. S., GREGUS J. A., GOTTSCHO R. A.

Type d'article : Article

Résumé

Les réacteurs à plasma basés sur la résonance cyclotronique des électrons sont utilisés pour la fabrication de circuits intégrés de très grande taille en vue de répondre aux exigences très pointues de la gravure submicronique. On décrit un réacteur à plasma destiné à la gravure de semiconducteurs composés et du silicium à basse température (-170 à 20 deg C). Les conditions critiques d'uniformité du plasma, de contrôle de l'énergie des ions et de la température des matrices sont discutées. La température est maintenue à -170 plus ou moins 2,5 deg C à l'aide d'une électrode cryogénique et est contrôlée par une technique d'interférométrie laser à infrarouge.

Détails

  • Titre original : Electron cyclotron resonance (ECR) plasma reactor for cryogenic etching.
  • Identifiant de la fiche : 1994-2779
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 64 - n. 12
  • Date d'édition : 12/1993
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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