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TECHNIQUE DE MESURE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE A HAUTE PRESSION DANS DES CELLULES A ENCLUME DE DIAMANT AUX CRYOTEMPERATURES.

TECHNIQUE FOR HIGH-PRESSURE ELECTRICAL CONDUCTIVITY MEASUREMENT IN DIAMOND ANVIL CELLS AT CRYOGENIC TEMPERATURES.

Auteurs : ERSKINE D., YU P. Y., MARTINEZ G.

Type d'article : Article

Résumé

ON DECRIT UNE TECHNIQUE DE MESURE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE AVEC 4 SONDES SUR DES ECHANTILLONS DE VRAC DANS UNE CELLULE A ENCLUME DE DIAMANT. CETTE TECHNIQUE A ETE APPLIQUEE AVEC SUCCES JUSQU'A 48 GPASCALS ET A DES TEMPERATURES INFERIEURES A 4,2 K POUR MESURER LES TEMPERATURES DE TRANSITION SUPRACONDUCTRICE (T) DE PLOMB, DE PHOSPHATE DE GALLIUM ET DE SILICIUM. ON DECRIT AUSSI UNE METHODE D'ANALYSE DE LA COURBE DE RESISTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE AU VOISINAGE DE LA TRANSITION SUPRACONDUCTRICE. CETTE METHODE EST APPLIQUEE POUR DETERMINER L'INFLUENCE DE LA PRESSION SUR T DANS LE SILICIUM DANS LA REGION OU T VARIE RAPIDEMENT EN FONCTION DE LA PRESSION.

Détails

  • Titre original : TECHNIQUE FOR HIGH-PRESSURE ELECTRICAL CONDUCTIVITY MEASUREMENT IN DIAMOND ANVIL CELLS AT CRYOGENIC TEMPERATURES.
  • Identifiant de la fiche : 1987-1257
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 58 - n. 3
  • Date d'édition : 1987
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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