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Ajustement de la résistivité de thermomètres à couches minces de silicium-niobium en fonction de la gamme de température à mesurer.

Matching the resistivity of silicon-niobium thin film thermometers to the experimental temperature range.

Auteurs : VECCHIO D. de, TABOREK P., RUTLEDGE J. E.

Type d'article : Article

Résumé

La gamme utile des thermomètres résistifs semi-conducteurs est limitée du fait de la perte de sensibilité à haute température et de la résistivité trop élevée à basse température. Pour les thermomètres à dépôt en couches minces de silicium-niobium, la gamme utile peut-être contrôlée par la concentration en niobium. Une technique simple a été mise au point pour le contrôle de cette concentration dans le processus de fabrication. Une famille de thermomètres ultra-sensibles couvrant toutes les gammes de température depuis moins de 1 K jusqu'à plus de 450 K est décrite.

Détails

  • Titre original : Matching the resistivity of silicon-niobium thin film thermometers to the experimental temperature range.
  • Identifiant de la fiche : 1996-2740
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 66 - n. 11
  • Date d'édition : 11/1995
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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