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COMPORTEMENT DES DETECTEURS DE BASSES TEMPERATURES A SEMI-CONDUCTEUR DANS DES ENVIRONNEMENTS ELECTROMAGNETIQUES.

BEHAVIOUR OF SEMICONDUCTOR LOW TEMPERATURE SENSORS IN ELECTROMAGNETIC ENVIRONMENTS.

Auteurs : ZAWADZKI M., SUJAK B.

Type d'article : Article

Résumé

ON A ETUDIE ENTRE 70 ET 300 K L'INFLUENCE D'UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE, AVEC DES FREQUENCES DE 30 A 300 MHERTZ, SUR LES CRYOTHERMOMETRES A SEMICONDUCTEUR, PAR EXEMPLE LES DETECTEURS DE TEMPERATURE A DIODE DE SILICIUM AINSI QUE LES THERMOMETRES A RESISTANCE DE SILICIUM ET DE GERMANIUM. ON A TROUVE LES VARIATIONS DE LA CHUTE DE TENSION OU DE LA RESISTANCE PAR RAPPORT AUX CARACTERISTIQUES DE LA TEMPERATURE DES THERMOMETRES ETUDIES. LES DETECTEURS DE BASSES TEMPERATURES A SEMICONDUCTEUR NE PEUVENT ETRE UTILISES QUE POUR UN REETALONNAGE PRECIS EN PRESENCE D'UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE DE FAIBLE INTENSITE, BIEN CONNU, A UNE FREQUENCE MAINTENUE CONSTANTE NE CORRESPONDANT PAS A LA VALEUR MAXIMALE DE < L'ERREUR >.

Détails

  • Titre original : BEHAVIOUR OF SEMICONDUCTOR LOW TEMPERATURE SENSORS IN ELECTROMAGNETIC ENVIRONMENTS.
  • Identifiant de la fiche : 1984-1817
  • Langues : Anglais
  • Source : Cryogenics - vol. 23 - n. 11
  • Date d'édition : 1983

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