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ANISOTROPIE DE LA RESISTIVITE ELECTRIQUE DE MONOCRISTAUX D'OSMIUM ENTRE 4,2 ET 300 K.

[In Russian. / En russe.]

Auteurs : VOLKENSTEJN N. V.

Type d'article : Article

Résumé

ON A TROUVE QUE L'ANISOTROPIE DE LA RESISTIVITE ELECTRIQUE ETAIT INFERIEURE A 1 ET PRESENTAIT UN MAXIMUM A 50 K; -A LA TEMPERATURE DE L'HELIUM LIQUIDE L'INFLUENCE SUR LES ECHANTILLONS MINCES EST COMMANDEE PAR LA DISPERSION DES ELECTRONS DE CONDUCTION A LA SURFACE DE L'ECHANTILLON. ON EXAMINE LES RESULTATS POUR LA FORME SPECIFIQUE DE LA GEOMETRIE SUPERFICIELLE DE FERMI POUR L'OSMIUM EN TENANT COMPTE DES PROCESSUS DE DISPERSION DES ELECTRONS DE CONDUCTION PAR LES PHONONS ET PAR LA SURFACE DE L'ECHANTILLON.

Détails

  • Titre original : [In Russian. / En russe.]
  • Identifiant de la fiche : 1982-1114
  • Langues : Russe
  • Source : Fiz. nizk. Temp. - vol. 7 - n. 9
  • Date d'édition : 1981
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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