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Caractéristiques courant-tension à basse température de diodes de silicium utilisées comme thermomètres.

Low temperature current-voltage characteristics of silicon diodes used as thermometers.

Auteurs : SZMYRKA-GRZEBYK A., LIPINSKI L.

Type d'article : Article

Résumé

Dans le but de déterminer une valeur optimale du courant de thermomètres à diodes, les caractéristiques V (tension) en fonction de I (courant) de deux types de diodes industrielles et de thermomètres à diodes ont été mesurées dans la gamme de températures de 4 à 300 K. Tous les types de diodes testés ont présenté une dépendance logarithmique entre V et I à des températures au-dessus de 20 K. En dessous de cette température, on a observé des écarts importants par rapport à la théorie classique de jonction p-n. Dans certaines diodes, on a trouvé une instabilité de tension, une hystérésis des caractéristiques V en fonction de I, une résistance négative ou un effet de "transfert" dans la résistivité. Ces effets peuvent influencer la précision des mesures.

Détails

  • Titre original : Low temperature current-voltage characteristics of silicon diodes used as thermometers.
  • Identifiant de la fiche : 1993-2521
  • Langues : Anglais
  • Source : Cryogenics - vol. 33 - n. 2
  • Date d'édition : 1993

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