Partager

DIODES SEMI-CONDUCTRICES UTILISEES COMME THERMOMETRES CRYOGENIQUES.

SEMICONDUCTOR DIODES AS CRYOGENIC TEMPERATURE SENSORS.

Auteurs : MAITI C. R., MITRA S. S., GHORAI S. K.

Type d'article : Article

Résumé

CET ARTICLE DONNE LES CARACTERISTIQUES DE DIODES A JONCTION P-N VENDUES DANS LE COMMERCE ET UTILISABLES POUR LA MESURE DES TEMPERATURES ENTRE 77 ET 300 K. LES CARACTERISTIQUES RESISTANCE A COURANT CONSTANT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE MONTRENT, POUR LES DIODES AU GERMANIUM (BEL, DE TYPE OA), DEUX PARTIES LINEAIRES, ENTRE 300 ET 200 K D'UNE PART, ENTRE ENVIRON 130 ET 77 K D'AUTRE PART, AVEC UN FORT ACCROISSEMENT DE LA RESISTANCE DANS CE DERNIER DOMAINE DE TEMPERATURE. POUR LES DIODES AU SILICIUM ET POUR LES DIODES ZENER, LA RESISTANCE EST PROPORTIONNELLE A LA TEMPERATURE DANS TOUT LE DOMAINE 77-300 K. J.V.

Détails

  • Titre original : SEMICONDUCTOR DIODES AS CRYOGENIC TEMPERATURE SENSORS.
  • Identifiant de la fiche : 1982-0730
  • Langues : Anglais
  • Source : Indian J. Cryog. - vol. 5 - n. 1
  • Date d'édition : 1980
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

Liens


Voir d'autres articles du même numéro (4)
Voir la source

Indexation