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ETUDE AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE A HAUTE DEFINITION DES DEFAUTS D'EMPILAGE DANS YBCO.

HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY STUDY ON STACKING FAULTS IN YBCO.

Auteurs : ZHENG J.

Type d'article : Article

Résumé

DEUX TYPES DE DEFAUTS D'EMPILAGE DE CE SUPRACONDUCTEUR ONT ETE OBSERVES DIRECTEMENT PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A HAUTE DEFINITION. ILS RESULTAIENT D'UNE COUCHE SUPPLEMENTAIRE DE CUIVRE-OXYGENE INTRODUITE ENTRE LES COUCHES DE BARYUM-OXYGENE ET LES DOUBLES COUCHES DE CUIVRE-OXYGENE, S'ETENDANT A TRAVERS LE CRISTAL OU SE TERMINANT DANS LE CRISTAL. LA OU LES DEFAUTS SE TERMINAIENT, ON A TROUVE DES DISLOCATIONS PARTIELLES AVEC LE VECTEUR DE BURGERS, CE QUI CONFIRME ENCORE QUE LES DEFAUTS NE SONT PAS PROVOQUES PAR L'ELIMINATION D'UNE COUCHE D'YTTRIUM-OXYGENE DU CRISTAL PARFAIT, MAIS PAR UNE COUCHE SUPPLEMENTAIRE DE CUIVRE-OXYGENE INTRODUITE ENTRE LES COUCHES DE BARYUM-OXYGENE. ON A OBSERVE AUSSI QUE DEUX TYPES DE DEFAUTS PEUVENT COEXISTER COTE A COTEDANS LE MEME PLAN AVEC UNE REGION DE TRANSITION ABRUPTE. ON PROPOSE UN MODELE DE STRUCTURE DE DISLOCATION PARTIELLE AVEC LE VECTEUR DE BURGERS POUR EXPLIQUER LA REGION DE TRANSITION.

Détails

  • Titre original : HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY STUDY ON STACKING FAULTS IN YBCO.
  • Identifiant de la fiche : 1992-0973
  • Langues : Anglais
  • Source : Prog. nat. Sci. - vol. 1 - n. 4
  • Date d'édition : 08/1991
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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