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Préamplificateur cryogénique à large bande à dissipation à faible puissance utilisant des transistors à effet de champ MESFET en gallium-arsenic semi-conducteur en parallèle.

A low-power-dissipation broadband cryogenic preamplifier utilizing gallium-arsenic MESFETs in parallel.

Auteurs : LEE A. T. J.

Type d'article : Article

Résumé

On présente la conception d'un préamplificateur sensible à la tension devant fonctionner à 1,6 K, avec une dissipation de puissance minimale dans le cryostat, tout en maintenant une grande largeur de bande et un faible bruit. On a pu y parvenir en faisant fonctionner quatre MESFET en parallèle à des températures cryogéniques en cascade avec un transistor à effet de champ à jonction en silicium à température ambiante. La dissipation de puissance peut être réduite à 1 milliwatt moyennant une faible augmentation du bruit. On a trouvé que le bruit du préamplificateur était dominé par l'étage cryogénique. On présente la conception détaillée du préamplificateur et les mesures du bruit dans différentes conditions de polarisation ainsi que l'analyse des différentes sources de bruit.

Détails

  • Titre original : A low-power-dissipation broadband cryogenic preamplifier utilizing gallium-arsenic MESFETs in parallel.
  • Identifiant de la fiche : 1994-0730
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 64 - n. 8
  • Date d'édition : 08/1993
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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