PartagerResistivité de couche minces de cuivre et d'argent sur silicium(100)2x1.
Auteurs : LOPEZ RIOS T., GUILLET S., LANCO P.
Type d'article : Article
Résumé
La résistivité électrique des couches minces de cuivre et d'argent de quelques centaines d'angströms déposées à la température ambiante sur des surfaces silicium(100)2x1 a été mesuré entre 4 et 300 K. La résistivité de ces échantillons présente une dépendance anormale avec la température due à une contribution inattendue du substrat de silicium.
Détails
- Titre original : Resistivité de couche minces de cuivre et d'argent sur silicium(100)2x1.
- Identifiant de la fiche : 1995-2716
- Langues : Français
- Source : C. R. Acad. Sci., Sér. II - vol. 319 - n. 6
- Date d'édition : 22/09/1994
- Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.
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