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STABILITE DES DIODES DE SILICIUM COMME DETECTEURS DE TEMPERATURE ENTRE 4,2 ET 273 K.

STABILITY OF SILICON DIODES AS TEMPERATURE SENSORS IN THE RANGE 4.2-273 K.

Auteurs : VEPREK J., STRNAD P.

Type d'article : Article

Résumé

ON PRESENTE LES PROPRIETES THERMOMETRIQUES DE DIODES DE SILICIUM TESLA-KA 136 COMME DETECTEURS DE TEMPERATURE ENTRE 1,5 ET 380 K. ON ACCORDE UNE ATTENTION PARTICULIERE A LA STABILITE DE CES DETECTEURS QUI A ETE EXAMINEE POUR 30 DIODES. ON A TROUVE QUE PLUS DE 90 % DES DIODES CONSIDEREES AVAIENT UNE STABILITE SUPERIEURE A 0,4 ET 0,3 K A DES TEMPERATURES RESPECTIVES DE 4,2 ET 273 K APRES 30 CYCLES ET 12 MOIS DE STOCKAGE.

Détails

  • Titre original : STABILITY OF SILICON DIODES AS TEMPERATURE SENSORS IN THE RANGE 4.2-273 K.
  • Identifiant de la fiche : 1985-0495
  • Langues : Anglais
  • Source : Cryogenics - vol. 24 - n. 5
  • Date d'édition : 1984

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