Partager

Technique photothermique à déplacement : une méthode pour déterminer la variation de la conductivité thermique du silicium en fonction de la température.

Photothermal displacement technique: a method to determine the variation of thermal conductivity versus temperature in silicon.

Auteurs : BENEDETTO G., SPAGNOLO R., BOARINO L.

Type d'article : Article

Résumé

La méthode se fonde sur l'application d'une technique photothermique à déplacement dans la plage de températures comprise entre 30 et 300 K. Les résultats obtenus avec des échantillons de types et de concentrations de dopage divers sont en bon accord avec ceux rapportés dans la littérature.

Détails

  • Titre original : Photothermal displacement technique: a method to determine the variation of thermal conductivity versus temperature in silicon.
  • Identifiant de la fiche : 1994-0864
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 64 - n. 8
  • Date d'édition : 08/1993
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

Liens


Voir d'autres articles du même numéro (7)
Voir la source

Indexation