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Thermométrie par semi-conducteur à des températures basses et ultrabasses en utilisant un germanium dopé par dislocation.

Semiconductor thermometry at low and ultra-low temperatures using dislocation-doped germanium.

Auteurs : KOZHUCH M. L.

Type d'article : Article

Détails

  • Titre original : Semiconductor thermometry at low and ultra-low temperatures using dislocation-doped germanium.
  • Identifiant de la fiche : 1993-3256
  • Langues : Anglais
  • Source : Cryogenics - vol. 32 - n. 6
  • Date d'édition : 1992

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