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DIODES DE METAL-SEMICONDUCTEUR UTILISEES COMME DETECTEURS DE BASSES TEMPERATURES.

METAL SEMICONDUCTOR DIODES AS LOW TEMPERATURE SENSORS.

Auteurs : CHANDRA M. M., PRASAD M., SURYAN G.

Type d'article : Article

Résumé

ON UTILISE ASSEZ FREQUEMMENT DES DIODES DE JONCTION COMME DETECTEURS DE BASSES TEMPERATURES. CET ARTICLE DECRIT L'UTILISATION DE DIODES DE METAL-SEMICONDUCTEUR (DIODES DE SCHOTTKY) COMME DETECTEURS DE TEMPERATURE ALLANT DE LA TEMPERATURE ORDINAIRE A LA TEMPERATURE DE L'HELIUM LIQUIDE. ON TROUVE QUE LES CARACTERISTIQUES THERMIQUES DE LA TENSION DES DIODES POLARISEES A UN COURANT DIRECT FIXE SONT TRES SEMBLABLES A CELLES OBTENUES POUR LES JONCTIONS P-N DE SILICIUM. LES CARACTERISTIQUES ONT DEUX PENTES, AVEC UNE CHUTE DE TENSION DE LA JONCTION VARIANT PRESQUE LINEAIREMENT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE JUSQU'A 40 K, APRES QUOI LA CHUTE DE TENSION AUGMENTE TRES RAPIDEMENT JUSQU'A 4,2 K. ON PEUT MONTRER QUE LA VALEUR DE LA TENSION, LORSQUE LA TEMPERATURE TEND VERS ZERO, DONNE LA HAUTEUR DE L'ECRAN A 0 K, CONTRAIREMENT A LA JONCTION P -N POUR LAQUELLE LA VALEUR DE LA BANDE EST OBTENUE. ON EXAMINE LA FORME DES CARACTERISTIQUES THERMIQUES DE LA TENSION ION THERMO-IONIQUE ET DE LA CHUTE A TRAVERS LA RESISTANCE GLOBALE.

Détails

  • Titre original : METAL SEMICONDUCTOR DIODES AS LOW TEMPERATURE SENSORS.
  • Identifiant de la fiche : 1986-0504
  • Langues : Anglais
  • Source : Indian J. Cryog. - vol. 9 - n. 4
  • Date d'édition : 1984
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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