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Permittivité relative et tangente de perte diélectrique de substrats pour des films supraconducteurs à haute température critique.

Relative permittivity and dielectric loss tangent of substrate materials for high-critical temperature superconducting film.

Auteurs : KONAKA T., SATO M., ASANO H., et al.

Type d'article : Article

Résumé

Les auteurs mesurent la permittivité relative et la tangente de perte diélectrique de substrats pour des films supraconducteurs à haute température critique, de 18 à 300 K et de 5 à 10 gigahertz, en utilisant la méthode de cavitation résonante. Les matériaux mesurés sont des monocristaux d'oxyde de magnésium, d'oxyde de lanthane et d'aluminium, d'oxyde d'yttrium et d'aluminium, d'oxyde de lanthane, de strontium et de gadolinium, d'oxyde de néodyme et de gadolinium, de saphir et de céramique d'oxyde de zirconium.

Détails

  • Titre original : Relative permittivity and dielectric loss tangent of substrate materials for high-critical temperature superconducting film.
  • Identifiant de la fiche : 1993-0703
  • Langues : Anglais
  • Source : J. Supercond. - vol. 4 - n. 4
  • Date d'édition : 08/1991
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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