ELECTRONIQUE A BASSE TEMPERATURE : VUE D'ENSEMBLE.
COLD ELECTRONICS: AN OVERVIEW.
Auteurs : KIRSCHMAN R. K.
Type d'article : Article
Résumé
LE FONCTIONNEMENT A BASSE TEMPERATURE COMMENCE A ETRE APPLIQUE ET ENVISAGE POUR LES SYSTEMES ELECTRONIQUES ALLANT DES CIRCUITS A UN TRANSISTOR POUR LA RECHERCHE FONDAMENTALE AUX CIRCUITS INTEGRES VLSI POUR LES ORDINATEURS ULTRARAPIDES. CET ARTICLE PASSE EN REVUE L'ELECTRONIQUE BASEE SUR LES SEMICONDUCTEURS ; POUR LES BASSES TEMPERATURES LE MATERIEL ESSENTIEL EST LE SILICIUM, BIEN QUE LE GALLIUM-ARSENIC PRESENTE AUSSI DES POSSIBILITES CONSIDERABLES. LE FONCTIONNEMENT A TEMPERATURE REDUITE PRESENTE DES AMELIORATIONS DE LA PERFORMANCE PAR AMELIORATION DES PROPRIETES LIEES AUX MATERIAUX. ON S'ATTEND AUSSI A DES AMELIORATIONS SUBSTANTIELLES DE LA FIABILITE PUISQUE LES MECANISMES DE DEGRADATION SONT ACTIVES THERMIQUEMENT ; CEPENDANT CET ESPOIR POURRAIT ETRE REDUIT A NEANT SI LES PROBLEMES DE DEFAUT D'ADAPTATION DE LA DILATATION THERMIQUE ET DU CYCLAGE N'ETAIENT PAS RESOLUS.
Détails
- Titre original : COLD ELECTRONICS: AN OVERVIEW.
- Identifiant de la fiche : 1985-2297
- Langues : Anglais
- Source : Cryogenics - vol. 25 - n. 3
- Date d'édition : 1985
Liens
Voir d'autres articles du même numéro (4)
Voir la source
Indexation
- Thèmes : Autres applications des cryotempératures
- Mots-clés : Semi-conducteur; Électronique; Ordinateur; Arsenic; Silicium; Gallium; Cryogénie; Conductivité électrique
-
LOW-TEMPERATURE SEMICONDUCTOR RESISTANCE THERMO...
- Auteurs : LOGVINENKO S. P., ROSSOSHANSKII O. A.
- Date : 1985
- Langues : Anglais
- Source : Cryogenics - vol. 25 - n. 5
Voir la fiche
-
Cryogenic operation of silicon power devices.
- Auteurs : SINGH R., BALIGA B. J.
- Date : 1998
- Langues : Anglais
Voir la fiche
-
NOUVEAU PHENOMENE DE CONDUCTIVITE.
- Date : 1988
- Langues : Français
- Source : Rev. polytech. - n. 1500
Voir la fiche
-
Transfer power characteristic of a power MOSFET...
- Auteurs : SUN L. T., MAN M. C.
- Date : 05/1991
- Langues : Anglais
- Source : Indian J. pure appl. Phys. - vol. 29 - n. 5
Voir la fiche
-
SiGe heterojunction bipolar transistor issues t...
- Auteurs : RAMIREZ-GARCIA E., ZEROUNIAN N., CROZAT P., et al.
- Date : 11/2009
- Langues : Anglais
- Source : Cryogenics - vol. 49 - n. 11
Voir la fiche