Performance d'un appareil logique à trois valeurs de type CMOS (convertisseur ternaire) à la température de l'azote liquide.
Performance of CMOS three-valued logic device (ternary inverter) at liquid nitrogen temperature.
Auteurs : SRIVASTAVA A.
Type d'article : Article
Résumé
La performance s'améliore à 77 K par rapport aux propriétés à température ambiante. Cette amélioration peut être attribuée à l'augmentation des tensions de seuil absolues des transistors MOS à effet de champ de canaux n et p, qui permet à ces appareils de fonctionner à des seuils bien définis, l'une juste au-dessus du seuil (marche) et l'autre en dessous du seuil (arrêt).
Détails
- Titre original : Performance of CMOS three-valued logic device (ternary inverter) at liquid nitrogen temperature.
- Identifiant de la fiche : 1993-2464
- Langues : Anglais
- Source : Cryogenics - vol. 32 - n. 12
- Date d'édition : 1992
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- Mots-clés : Semi-conducteur; Électronique; Performance; Cryogénie
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