Etude de transistors à effet de champ au silicium utilisés dans les amplificateurs cryogéniques pour SQUID à radiofréquence.
Investigation of silicon field-effect transistors in cryogenic amplifiers for radio-frequency superconducting quantum interference devices.
Résumé
Des transistors multicanaux, capables de fonctionner à la température de l'hélium liquide (4,2 K), ont été préparés et utilisés dans des préamplificateurs refroidis destinés à l'électronique de lecture de SQUID à radiofréquence.
Détails
- Titre original : Investigation of silicon field-effect transistors in cryogenic amplifiers for radio-frequency superconducting quantum interference devices.
- Identifiant de la fiche : 1996-2110
- Langues : Anglais
- Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 66 - n. 5
- Date d'édition : 05/1995
- Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.
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