Etude de transistors à effet de champ au silicium utilisés dans les amplificateurs cryogéniques pour SQUID à radiofréquence.

Investigation of silicon field-effect transistors in cryogenic amplifiers for radio-frequency superconducting quantum interference devices.

Auteurs : BECKER T., MÜCK M., HEIDEN C.

Type d'article : Article

Résumé

Des transistors multicanaux, capables de fonctionner à la température de l'hélium liquide (4,2 K), ont été préparés et utilisés dans des préamplificateurs refroidis destinés à l'électronique de lecture de SQUID à radiofréquence.

Détails

  • Titre original : Investigation of silicon field-effect transistors in cryogenic amplifiers for radio-frequency superconducting quantum interference devices.
  • Identifiant de la fiche : 1996-2110
  • Langues : Anglais
  • Source : Rev. sci. Instrum. - vol. 66 - n. 5
  • Date d'édition : 05/1995
  • Document disponible en consultation à la bibliothèque du siège de l'IIF uniquement.

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